沉淀二氧化硅表面的隔离羟基和相邻羟基，在存放过程中，接触水蒸气就会改变浓度。其中隔离羟基不变化，说明在生产过程中产生的隔离羟基是稳定的，而相邻羟基会逐渐增多，这种现象也可用杨格的机理来解释，即在高温下形成了某些含有 “内应力”的硅-氧-硅键，它可吸水打开而形成更多的相邻羟基。沉淀二氧化硅在常温~700℃温度范围内加热不会改变其无定型结构，但大于700℃后比表面积逐渐减小，这表明结构发生了变化，表面熔结，吸附能力相应减小。

　　沉淀二氧化硅因工艺、生产方法、要求等各异，其酸碱性也有差别：一般多近中性，但也有微酸性或微碱性。