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沉淀二氧化硅的表面结构分析

双击自动滚屏 发布时间:2012/12/21 阅读:3737次 【字体:

    沉淀二氧化硅(白炭黑)表面存在着—OH。许多研究表明,这些羟基以二种类型存在。

  1、相邻羟基存在于沉淀二氧化硅(白炭黑)中,这些羟基邻近,故以氢键形式彼此结合。相邻羟基对极性武陟的吸附是十分重要的,它是比隔离羟基更有效的吸附点。

  2、隔离羟基主要存在于脱水的表面,这种羟基本身没有发生氢键,故氢院子的正电性较强,很容易和负电子的原子如氧、氮等发生吸附,它不易升温脱除,沉淀二氧化硅(白炭黑)的隔离羟基比气相二氧化硅多。

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