沉淀二氧化硅（白炭黑）表面的隔离羟基和相邻羟基，在存放过程中，接触水蒸气就会改变浓度。其中隔离羟基不变化，说明在生产过程中生成的隔离羟基是稳定的，而相邻羟基会逐渐增多，个现象也可以用杨格的机理来解释，即在高温下形成了某些含有'内应力'的硅—氧—硅键，它可吸水打开而形成更多的相邻羟基。

　　X—射线衍射也证明了二氧化硅（白炭黑），在常温~700℃温范围内，加热不会改变其无定形结构，大雨700℃时开始出现向结晶结构变化，至800℃就完全变为低温型方英石的结晶。